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Die in den letzten Abschnitten behandelten Effekte werden nun anhand von einfachen Beispielen erläutert. Die
Simulation einer einfachen Diode soll Abkühlungseffekte des Drift-Diffusionsmodells aufzeigen, die im thermodynamischen Modell den
PELTIER-Effekt darstellen. Die anschließende Simulation einer Fingerstruktur soll den Effekt eines
thermischen Widerstandes sowie einer isothermen Randbedingung aufzeigen. Schließlich sollen die Simulationen eines
SOI-MOSFETs und eines Heterobipolartransistors wichtige weitere Einflüsse von Kühl- und Randbedingungen erläutern.
Martin Knaipp
1998-10-09