Abbildung 2.2: Problemstellung
Die Abbildung 2.2 zeigt einen Querschnitt durch eine dreidimensionale Verdrahtungsstruktur, um nochmals zu verdeutlichen, welche Aufgabenstellung von einer analytischen oder numerischen Feldberechnungsmethode zu lösen ist.
Die schraffierten Bereiche stellen Leiter dar, die in insgesamt drei verschiedenen
Dielektrika (
) eingebettet sind. Außerdem
soll auch die tiefste horizontale Linie leitfähig sein.
Da die Leiter in Isolatoren eingebettet und keine Raumladungen vorhanden sind, ist
die Laplace-Gleichung im Isolatorgebiet zu lösen.
Die Leiter selbst werden nicht in die Berechnung miteinbezogen, sie repräsentieren Dirichletsche
Randbedingungen.
Wie schon im Abschnitt 1.2 gezeigt, sind die Leiterbahnen (moderne
Mikroprozessoren verfügen von bis zu vier Verdrahtungsebenen) in mehreren Lagen
geschichtet, wobei verschiedene Dielektrika zum Einsatz kommen (z.B.: 
). Es
sind daher oft Grenzflächenbedingungen
zu berücksichtigen.
