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Abbildung 3.1: Flussdiagramm fuer die konventionelle Berechnung einer
Ionentrajektorie.
Das Flußdiagramm in Abbildung 3.1 zeigt die prinzipielle
Vorgangsweise bei der Berechnung einer Ionentrajektorie:
- Nachdem die Initialdaten für das Ion feststehen, werden je nach
Materialstruktur der oder die Stoßpartner ermittelt, wodurch auch die freie
Weglänge festgelegt wird.
- Entlang verliert das Ion auf Grund von Wechselwirkungen
seiner Elektronenhülle mit den Target-Atomen an Energie
(elektronische Abbremsung) und
- am Ende seiner freien Weglänge angekommen, streut das Ion an einem
oder mehreren Target-Atomen, wodurch es in eine neue Flugrichtung
gelenkt wird.
- Sollte das Ion vor diesem Stoß so nahe an einer Materialgrenze
gewesen sein, daß es durch Zurücklegung der Strecke das
momentane Material verlassen hätte können, wird eine neue Ortsbestimmung
durchgeführt.
- Da bei der Berechnung der Streuung auch der nukleare Energieverlust
bestimmt wird, ist es möglich damit auch die Anzahl der
stabilen Punktdefekte mittels statistischen Methoden zu berechnen
(siehe Kapitel 2.8.1). wird in ein Histogramm eingetragen,
aus dem sich am Ende der Simulation die Defektkonzentration ableiten
läßt. Nachfolgend implantierte Ionen treffen nun mit einer
Wahrscheinlichkeit proportional zur Defektkonzentration auf ein
Zwischengitteratom bzw. eine Leerstelle und nicht mehr auf ein
Gitteratom. Dadurch kann der Einfluß der transienten Gitterschädigung auf
das Channeling-Verhalten der Ionen berücksichtigt werden, indem eine
Zufallszahl Z=[0,1[ ermittelt und mit verglichen wird. In
kristallinem Silizium ist anfangs null, in amorphen Gebieten
eins. Ergibt sich nun , so kommt für den nächsten Stoß ein
kristallines Modell zur Anwendung.
- Anschließend wird geprüft, ob die Energie des Ions noch größer als
ein vorgegebener Minimalwert ist (meist wählt man 10eV). Wenn ja,
erfolgt die Berechnung eines neuerlichen Stoßes, ansonsten wird angenommen,
daß das Ion im Material zur Ruhe gekommen ist, und es wird der Zähler für
jene Histogrammbox, die der Position des Ions entspricht, inkrementiert.
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