Seit der Entdeckung der Stromleitung in Stoffen, die man heute als Halbleiter bezeichnet, steht der Elektronentransport im Vordergrund des wissenschaftlichen und wirtschaftlichen Interesses, da die meisten elektronischen Bauelemente eben darauf beruhen. Seit Beginn dieses elektronischen Zeitalters in den letzten Jahrzehnten des 19. Jahrhunderts und dem Beginn der systematischen Erforschung der Halbleiter ab ca. 1920 haben Verbindungshalbleiter ihren festen Platz in Forschung und Halbleiterindustrie gefunden. Die ursprünglichen Entdeckungen und ersten Untersuchungen wurden sogar an Verbindungshalbleitern, den sogenannten Schwefelmetallen, durchgeführt (F. Braun).
Im besonderen haben heute Verbindungen aus den Hauptgruppen III und V des Periodensystems durch ihre speziellen physikalischen Eigenschaften eine stabile Nische im Bereich der Hochfrequenzelektronik (Mikrowellentechnik) und Optoelektronik eingenommen. Diese Eigenschaften sind auch der Grund, daß trotz ihrer im Vergleich zu den Elementhalbleitern der Gruppe IV, vor allem Silizium , global gesehen eher geringen Marktbedeutung mit wenigen Prozent Marktanteil der größere Teil der Publikationen in Grundlagen- und anwendungsnaher Forschung aus diesen Verbindungen resultiert. Auch die vorliegende Dissertation ist diesem Themenkreis zugeordnet, sie beschäftigt sich mit der Modellierung physikalischer Eigenschaften, insbesonders des Elektronentransports von III-V Verbindungshalbleitern.