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Abbildung 2.3:
Symbolbild einer MOS-Struktur und Festlegung der Lage der
Koordinatenachsen.
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Die bisherigen Ableitungen wenden wir nun auf den Fall eines
MOS-Transistors an. Abbildung 2.3 zeigt eine
schematische Skizze einer solchen Struktur und die Lage des gewählten
Koordinatensystems. Für die hier vorgesehene Untersuchung ist
lediglich das zwischen Drain und Source gelegene Gebiet unter dem Gate
von Interesse. Durch Oxidation wird eine dünne Oxidschicht direkt auf
dem Siliziumsubstrat erzeugt und somit eine Isolierung zwischen dem
Kanal und dem zur Ladungssteuerung verwendeten Gatekontakt
hergestellt. Über die Gatespannung kann dann unter der Oxidschicht
durch das resultierende Feld die Ladungsträgerdichte verändert, und so
der Strom vom Source- zum Drain-Kontakt beeinflusst werden
([31]). Meist wird die Oxidschicht nicht direkt mit dem
Metall kontaktiert, sondern eine zusätzliche, hochdotierte
Polysiliziumschicht als Gate verwendet. Für den Transport der
Ladungsträger von Source zu Drain wird die Quantisierung quer zum
Kanal betrachtet und diese Richtung als z-Koordinate festgelegt. In
den beiden verbleibenden Raumrichtungen wird das Elektron als frei
beweglich angesehen, man spricht in diesem Fall von einem
zweidimensionalen Elektronengas.
Abbildung 2.4:
Isoenergieflächen der Elektronen in den sechs
Valenzbändern in Silizium und deren Projektion
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Die Annahme einer isotropen Masse in (2.2)
diente nur zur einfachen Beschreibung der Nichtparabolizität. Bei den
derzeit üblichen Herstellungsverfahren verwendet man hauptsächlich
Siliziumkristalle mit
Oberflächen. Bei Silizium
liegen die Leitungsbandminima in den X-Tälern symmetrisch zu den
Achsen, die durch den und die sechs Punkte der
Brillouin-Zone aufgespannt werden. Die Flächen konstanter Energie sind
Ellipsoide, die durch zwei unterschiedliche Massen, die longitudinale
Masse
und die transversale Masse
, bestimmt sind.
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(2.33) |
Abbildung 2.4 skizziert diese sechs Ellipsoide
entlang der Hauptachsen des Wellenvektorraums.
In der Folge werden wir die Quantisierung nur in der Normalrichtung zur
Grenzfläche zwischen Oxid und Halbleiter
betrachten. Aus der Projektion der Ellipsoide auf diese Oberfläche
erkennt man bereits die später verwendete Unterteilung in einzelne
Talsorten.
Tabelle 2.2:
Aufstellung der effektiven Massen in den einzelnen Talsorten.
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Entartung |
Talsorte 1 |
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2 |
Talsorte 2 |
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2 |
Talsorte 3 |
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2 |
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In Tabelle 2.2 sind die in den verschiedenen
Talsorten verwendeten Massen angegeben.
In Hinblick auf die zu verwendende Quantisierungsmasse
sind die vier äußeren Ellipsoide, hier als Talsorte 2 und 3 angeführt,
als äquivalent anzusehen. Die
beiden auf einen Kreis projizierten Ellipsoide werden zur Talsorte 1
zusammengefasst.
Um alle Leitungsbandminima bei der Behandlung der
Quantisierung zu berücksichtigen, werden nur zwei verschiedene
Talsorten behandelt, diese aber mit einem Entartungsfaktor
gewichtet, der die Anzahl der zur Talsorte zusammengefassten Täler
angibt.
Im hier vorliegenden Fall örtlich konstanter Massen und
Nichtparabolizitätskoeffizienten können die Operatoren
bis
explizit angegeben werden.
Tabelle 2.3:
Zusammenfassung der Eigenwerte der
voneinander abhängigen Operatoren im Falle des
MOS-Transistors.
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Die in Tabelle 2.3 angegebenen Operatoren haben
für eine konstante Masse
und einen konstanten
Nichtparabolizitätskoeffizienten
dieselben Eigenfunktionen, da sie jeweils in Form einer Potenzreihe
mit einem der anderen Operatoren dargestellt werden können. Der
Zusammenhang zwischen den Operatoren
und
ist
für den Separationsansatz (2.4)
in (2.7) angegeben. Analog zur
Transformation (2.14) wurde der
Oparator
definiert. Die Spektraldarstellung
des Operators
lautet nach (2.20):
Die darin vorkommenden Eigenwerte werden in eine Potenzreihe
nach entwickelt und Terme bis zur Ordnung vier
berücksichtigt. Der Eigenwert des Operators
lautet
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(2.34) |
und wir erhalten somit die Entwicklung
Die Ableitungen der Funktion (2.17) ergeben sich dabei zu
Unter Verwendung der Abkürzung
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(2.35) |
ergibt sich schließlich folgende Spektraldarstellung des Operators der
kinetischen Energie.
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(2.36) |
Mit dem Operator
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(2.37) |
ergeben sich dann die in (2.22) verwendeten
Operatoren wie folgt.
Betrachten wir noch den Spezialfall eines verschwindenden
Nichtparabolizitätskoeffizienten im nicht quantisierten Fall, so ergibt sich
|
(2.39) |
In allen Subbändern ergibt sich dann als Subbandmasse
die
effektive Elektronenmasse.
Für die Lösung der eindimensionalen Schrödinger-Gleichung
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(2.40) |
in einem Simulator benötigen wir die in (2.40)
verwendeten Operatoren
,
,
,
,
,
in einer
Matrizendarstellung in der gewählten Basis .
Aus der für das Basissystem gültigen
Vollständigkeitsrelation (2.19) ergibt
sich die Darstellung des gesuchten Zustandsvektors
in dieser Basis.
Die Matrixdarstellung des Operators der potenziellen Energie lautet:
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(2.42) |
Produkte von Operatoren können als Produkt dieser Matrizen
angeschrieben werden. Als Beispiel sei hier das Matrixelement des
Operators
angegeben.
Eine Sonderstellung nimmt der Operator
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(2.46) |
ein. In diesem kommt der Operator
vor.
Bei der gewählten Basis, in der Sinusfunktionen verwendet werden,
ergibt sich aus der Anwendung des Operators
das Matrixelement
des Operators
wie folgt.
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(2.47) |
Für die Berechnung dieser Matrixelemente sind die Basisfunktionen
nicht ausreichend. Die Anwendung des Operators
auf die Basisfunktionen führt in eine neue Basis
bestehend aus Kosinusfunktionen. Durch zweimalige Anwendung des
Operators
gelangt man jedoch wieder in die ursprüngliche
Basis. Verwendet man also die neuen Funktionen
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(2.48) |
für die Berechnung der Matrixelemente des Operators
und berücksichtigt die Vorfaktoren die sich aus der Ableitung der
Basisfunktionen ergeben, wie
in (2.49) angegeben, können auch die
Matrixelemente von
in der Basis angegeben
werden.
Bei der Darstellung des Operators
ist eine
Operatorfunktion
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(2.49) |
auszuwerten. Dies erfolgt in der Matrixdarstellung
von
durch Transformation der in der Diagonale
vorkommenden Eigenwerte.
Die Darstellung der Schrödinger-Gleichung (2.42)
in Matrixdarstellung lautet somit:
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(2.50) |
Die Summation in (2.52) erstreckt sich über den
unendlich-dimensionalen Hilbert-Raum. Mit einem numerischen Verfahren
wird eine Näherungslösung in einem endlich dimensionalen Unterraum
gesucht. In der auf eine Anzahl von Funktionen beschränkten Basis
lautet dann die Matrixeigenwertgleichung
zu (2.52):
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(2.51) |
Die Koeffizienten der endlich dimensionalen Darstellung der Wellenfunktion
sind dabei zum Vektor
zusammengefasst worden.
Im Vergleich mit Lösungsansätzen die die Nichtparabolizität außer Acht
lassen, handelt es sich hier wegen der Matrixelemente der potenziellen
Energie um ein Matrixeigenwertproblem mit
vollbesetzter Matrix, welches mit Standardroutinen aus dem Algebrapacket
LAPACK gelöst werden kann ([9]).
Für die Implementierung in einer objektorientierten Sprache wurde eine
eigene Klasse für Matrixelemente entworfen. Um Operatorfunktionen
auszuwerten, wird jeweils auf eine Diagonalform transformiert, es
werden also die Eigenwerte berechnet. Die Anwendung einer
Operatorfunktion ist dann leicht durchzuführen. Um sowohl
Speicherplatz als auch Rechenaufwand zu minimieren, werden drei
Spezialfälle unterschieden. Erstens werden Matrixelemente eines
Skalars wie zum Beispiel einer räumlich konstanten Masse als skalarer
Wert behandelt. Zweitens liegen viele Matrizen bereits in
Diagonalform vor und brauchen nicht diagonalisiert werden. Nur im
allgemeinsten Fall ist die Berechnung der Eigenwerte und
Eigenfunktionen der Matrix erforderlich.
Bei der Initialisierung des Simulators werden die Matrixelemente der
Operatoren
und
mit Hilfe dieser Klasse
berechnet. Ausgangspunkt sind dabei die Matrixelemente der bekannten
Operatoren wie Masse, Nichtparabolizitätskoeffizient und
. Bei den
Umformungen ist dabei der Wechsel zwischen den beiden Basisfunktionen
(Kosinus und Sinus) zu beachten, der es ermöglicht den Operator
in Matrizenform zu behandeln. Bei der Lösung der
Schrödinger-Gleichung für ein anderes Potenzial können die
Matrixelemente des Operators der kinetischen Energie wieder verwendet
werden.
Für die Simulation muss weiters neben der Wahl einer passenden
Ausdehnung
des Simulationsgebietes auch die Anzahl der
verwendeten Basisfunktionen auf eine endliche Zahl reduziert
werden. Zweitere Beschränkung muss einerseits eine ausreichende
Genauigkeit beziehungsweise örtliche Auflösung garantieren,
andererseits aber die Anforderungen an Speicherplatz und vor allem
Rechenzeit in realistischen Grenzen halten. Die Anforderungen bei der
Wahl von
sind ähnlich geschichtet. Der Wert muss groß genug
gewählt sein, um bei den zu erwartenden Potenzialverhältnissen ein
realistisches Abklingen der Wellenfunktionen zu
ermöglichen. Gleichzeitig garantiert allerdings wegen der Wahl einer
endlichen Anzahl an Basisfunktionen nur ein möglichst kleiner Wert von
die korrekte Darstellung örtlich rasch oszillierender
Wellenfunktionen an der Grenze zum Oxid.
Abbildung 2.5:
Vergleich der parabolischen, polynomialen und punktweise
berechneten Energiedispersionsrelation für einige Subbänder.
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In Abbildung 2.5 sind die
Dispersionsrelationen im ersten, fünften und zehnten Subband
dargestellt. Zuerst sind die durch (2.29)
eingeführten Dispersionsrelationen mit den Subbandmassen und
Nichtparabolizitätskoeffizienten aus (2.31)
und (2.32) dargestellt. Der Verlauf der sich aus
der bei Termen vierter Ordnung abgebrochenen Polynomdarstellung
nach (2.28) ergibt ist ebenfalls gezeigt.
Deutlich zu erkennen ist der problematische Verlauf dieser
polynomialen Approximation. Bei steigender Wellenzahl ergeben sich
negative Energiewerte. Zwar hat auch die nichtparabolische
Dispersionsrelation in diesem Bereich keine physikalische
Berechtigung, die Energie bleibt jedoch positiv definit. Bei
Berechnungen der Elektronendichte wird für große Werte des
Wellenvektors der Beitrag durch die dann rasch abklingende
Verteilungsfunktion verschwinden. Beim Berechnen der Matrix
in (2.53) ist für einen bestimmten Wert des
Parallel-Wellenvektors die Störung
in der Spektraldarstellung des Operators der kinetischen
Energie (2.20) nur eine Konstante. Diese Störung
kann bei der Berechnung der Matrixelemente inkludiert werden und liefert
eine punktweise berechnete Dispersionsrelation, wie sie in
Abbildung 2.5 eingezeichnet wurde.
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C. Troger: Modellierung von Quantisierungseffekten in Feldeffekttransistoren