Eine quasistationäre Beschreibung der Ladungsträger in einem Halbleiter erhält man aus der selbstkonsistenten Lösung von Schrödinger- und Poisson-Gleichung. Die Potenzialverteilung im Halbleiter wird durch die Poisson-Gleichung bestimmt. Für die Berechnung der Ladungsträgerkonzentrationen unter Einbeziehung quantenmechanischer Effekte werden die Lösungen der Schrödinger-Gleichung verwendet. In diesem Kapitel betrachten wir einen Ansatz für die Lösung der Schrödinger-Gleichung ([11],[19]) und wenden diesen in einer neuen Form auf einen eindimensionalen Schnitt durch einen MOS-Transistor und eine Heterostruktur an.
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