Die in Kapitel 2 beschriebene selbstkonsistente Lösung von Schrödinger- und Poisson-Gleichung wurde in einem Simulator implementiert. Um die Anwendbarkeit der vorgestellten Methode zu zeigen, werden als Beispiele ein eindimensionaler Schnitt durch eine MOS-Struktur und eine Heterostruktur simuliert. Mittels einer Anbindung des Simulators an eine Skriptsprache ist es möglich Kapazitätsberechnungen durchzuführen. Dabei werden die Simulationsergebnisse mit Messdaten verglichen und die Auswirkung einer Variation von Dotierung und Oxiddicke in einer MOS-Struktur untersucht.