Das Ausmaß der Diffusion von Dopanden während thermischer Prozeßschritte hängt in hohem Maße von den vorhandenen Punktdefekten ab. Speziell nach Dotierung mittels Ionenimplantation bestehen signifikante Störungen der Punktdefektdichte aufgrund der Strahlungsschäden.
In jedem Siliziumkristall existieren verschiedene Störungen der idealen Kristallstruktur. Je nach deren Ausdehnung unterscheidet man zwischen flächenhaften, linienförmigen und punktförmigen Defekten. In Bezug auf die Diffusion sind weiters die Mobilität solcher Defekte und deren gegenseitige Wechselwirkungen entscheidend. Im allgemeinen sind Linien- und Flächendefekte nicht beweglich, sie beeinflussen jedoch die beweglichen Defekte durch Umwandlungsvorgänge mitunter entscheidend. Als bewegliche Defekte kommen nur Störungen in Frage, deren Aktivierungsenergie für einen Platzwechselvorgang in der Nähe der thermischen Energie liegt, was nur für bestimmte Punktdefekte erfüllt ist.