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Unterabschnitte
Bei der quantenmechanischen Beschreibung des Elektrons im Kristall
handelt es sich um ein Problem mit vielen wechselwirkenden Teilchen.
Eine Untersuchung des Ladungstransportes mit einer solchen
Beschreibung der Zustände ist jedoch aus Sicht des Rechenaufwands und
der Komplexität nicht zielführend. Um das Problem zu vereinfachen,
haben sich einige Näherungsmethoden etabliert.
Ein sehr weit verbreiteter Ansatz ist als Born-Oppenheimer-Näherung
[49] in der Literatur zu finden. Dabei wird das Gesamtsystem
in die beiden Subsysteme bestehend aus den Valenzelektronen auf der
einen und den verbleibenden Atomrümpfen oder Gitterionen auf der
anderen Seite zerlegt. Der Hamilton-Operator, der ja die Gesamtenergie
des Systems beschreibt, kann dann als Summe von fünf Teilbeträgen
angeschrieben werden.
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(1.9) |
Die Operatoren
und
stehen dabei für die
kinetische Energie der beiden Subsysteme (Elektronen und Gitterionen).
Der Operator
beschreibt die Wechselwirkung der
Gitterionen und der Elektronen. Die beiden verbleibenden Operatoren
und
beziehen sich dann auf die
Wechselwirkung innerhalb der einzelnen Subsysteme.
Der in (1.9) angegebene Hamilton-Operator ist auf eine
Vielteilchenwellenfunktion anzuwenden. Um das Problem für die
Verwendung von Einteilchenwellenfunktionen umzuformen bietet die
Methode der selbstkonsistenten Felder, beziehungsweise
Hartree-Fock-Näherung, einen interessanten Ansatz
([50],[26], [39]). Die
Vielteilchenwellenfunktion wird in einer Basis entwickelt, die aus
antisymmetrischen Produkten von Einteilchenwellenfunktionen, den so
genannten Slater-Determinanten, bestehen. Weiters wird als
Nebenbedingung die Normierung der einzelnen Wellenfunktionen
vorausgesetzt. Das Ergebnis aus dem Ritz'schen Variationsprinzips ist
dann ein Satz von gekoppelten Schrödinger-Gleichungen für die
Einteilchenwellenfunktionen.
Des weiteren werden noch Annahmen über das Subsystem der Gitterionen
gemacht. Im Vergleich zu den Valenzelektronen handelt es sich um ein
weitaus starreres System. Bei der Beschreibung werden also die
Gitterionen als eine ruhendes System behandelt (adiabatische Näherung),
das lediglich um diese Ruhelage gewisse Schwingungen ausführt, deren
Energiequanten als Phononen bezeichnet werden.
In den gekoppelten Schrödinger-Gleichungen für die
Einteilchenwellenfunktionen kommen dann die bereits erwähnten
Potenzialterme vor. Über diese Terme ergibt sich auch die Verkopplung
des Gleichungssystems, die vorerst eine Überführung des Problems auf
voneinander unabhängige Einteilchenprobleme verhindert. Ein Ausweg
ist jedoch die Vereinfachung der Potenzialterme. Dabei wird die
Verknüpfung aller Einteilchenwellenfunktionen durch die Verwendung von
Mittelwerten gelöst. Für die Potenziale wird dabei nur noch eine
Abhängigkeit von einer mittleren Teilchendichte und nicht den
einzelnen Zuständen angenommen.
Abbildung 1.4:
Bandstruktur für Silizium.
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Es soll nun die praktische Durchführung der Lösung der
Schrödinger-Gleichung zwecks Ermittlung der Bandstruktur skizziert
werden. Aus dem Theorem von Bloch ist bekannt, dass es genügt die
Wellenfunktion nur innerhalb der Elementarzelle zu bestimmen. Über
verschiedene Ansätze, wie zum Beispiel der Pseudopotenzialmethode
[6], kann nun der Verlauf der Eigenenergien der
Einteilchenwellenfunktionen zu einem gegebenen Potenzial berechnet
werden. Es werden nur noch Einteilchenwellenfunktionen betrachtet und
in einer bekannten Basis für die Einheitszelle entwickelt. Bei der
Berechnung werden noch die speziellen Symmetrien der Kristallstruktur
berücksichtigt und entlang der ausgezeichneten Richtungen diese
Energiewerte in Form von Energiebändern aufgezeichnet. Prinzipiell
wird eine Einteilchen-Schrödinger-Gleichung gelöst in der die Wirkung
der übrigen Teilchen auf ein zu bestimmendes Potenzial reduziert
wurde. Zu jedem Wellenvektor werden nun diskrete Eigenenergien
berechnet und in einem Diagramm (siehe
Abbildung 1.4) dargestellt. Die so erhaltene
Bandstruktur zeigt typischerweise charakteristische Minima und Maxima,
die so genannten Täler [22]. Für die Untersuchung des
Ladungstransports kann nun entweder diese gesamte Information
herangezogen werden (Vollband-Monte Carlo-Simulation) oder aber man
beschränkt sich auf einen speziellen Bereich der Bandstruktur.
Für bestimmte Anwendungen genügt bereits die
Berücksichtigung eines einzigen Minimums der Bandstruktur für eine
sinnvolle Simulation. Die weit verbreitete kp-Methode betrachtet
nur die Wechselwirkung zwischen dem niedrigsten Leitungsband und dem
höchsten Valenzbandzustand und ist als Kane-Modell bekannt
[20]. In diesem Modell bedient man sich bei der
Charakterisierung nur jener speziellen Täler der Bandstruktur, die am
Stromtransport maßgeblich beteiligt sind ([3],[7]).
Im folgenden soll die Ableitung des noch einfacheren Einbandmodells
kurz dargelegt werden. Dabei wird nur das Leitfähigkeitsband in der
Umgebung des Talminimums betrachtet und eine Taylor-Entwicklung der
Energie angesetzt.
Man beginnt mit dem Hamilton-Operator nach (1.9)
in dem nur die Terme für die Elektronen verwendet werden.
Für die Wellenfunktion verwenden wir den Ansatz nach
Gleichung (1.8). In diesem Fall
lautet die Schrödinger-Gleichung für die Bloch-Funktionen
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(1.11) |
Es tritt also in der Schrödinger-Gleichung ein Zusatzterm
auf.
Geht man davon aus, die Lösungen des ungestörten Problems zu kennen, so
folgen aus der Störungsrechnung (siehe Anhang A.1)
die Energieeigenwerte des gestörten Problems zu
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(1.12) |
Für die kinetische Energie ergibt sich also weiterhin
wie beim freien Teilchen eine parabolische Abhängigkeit vom
Wellenvektor, allerdings mit einer effektiven Masse.
Um diese Darstellung mit dem Konzept der Bandstruktur zu verknüpfen,
betrachten wir das Tal der Leitungselektronen genauer und entwickeln
die Beziehung zwischen Energie und Wellenvektor im Bandminimum in eine
Taylor-Reihe.
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(1.13) |
Die erste Ableitung verschwindet im Bandminimum. Bricht man die Reihe
nach dem quadratischen Glied ab, ergibt dieser Ansatz einen
parabolischen Zusammenhang zwischen dem Wellenvektor und der Energie
mit einem Parameter, der als effektive Masse bezeichnet wird. Für die
Beschreibung des Elektronentransports im Halbleiter werden also in
dieser Vereinfachung nur Einteilchenwellenfunktionen, welche die
zeitunabhängige Schrödinger-Gleichung
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(1.14) |
erfüllen, zur Charakterisierung der Zustände herangezogen.
Für eine genauere Beschreibung der Täler im Sinne des Kane-Modells
wird der Einfluss anderer Bandminima durch die Störungsrechnung
einbezogen und die Dispersionsrelation in der Form
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(1.15) |
mit einem Korrekturfaktor
angeschrieben.
Diese Darstellung stimmt über einen größeren Bereich um das Talminimum
mit der numerisch berechneten Bandstruktur überein und hat so wie der
parabolische Ansatz den großen Vorteil eine explizite analytische
Relation darzustellen.
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C. Troger: Modellierung von Quantisierungseffekten in Feldeffekttransistoren